紫外-可见分光光度计
英文名:UV-Vis Spectrophotometer
型号:UV-2550
制造商:日本岛津公司(Shimadzu)
房间:化学实验楼206 负责人:杜祥祥 联系电话:15700191182
年份:2010年
主要特点:
DDM光学系统;双单色器;0.1至5nm六档光谱带宽可选;低杂散光;高扩展性;可测固体粉末漫反射;中文界面。
应用范围:
适用于溶液和粉体紫外可见光谱测定;
大多数有机物,部分无机物可直接测定含量;
无色物质可显色后测定或紫外光度测定含量;
微纳固体颗粒漫反射测定;
可测反应动力学。
主要技术参数
1、测定波长范围:190~900nm;
2、谱带宽度:0.1~5nm;
3、分辨率:0.1nm;
4、波长重现性:±0.1nm;
5、杂散光:0.0003%以下;
6、测光方式: 双光束方式(付反馈直接比例方式);
7、测光范围: 吸光度-4~5Abs,透射率,反射率:0.0-999.9%;
8、基线平坦度:±0.001Abs 以内(除去干扰,狭缝2nm,波长扫描);
9、检测器:光电倍增管。
电化学工作站
英文名:Electrochemical Workstation
型号:CHI660e
制造商:上海辰华仪器有限公司
房间:化学实验楼206
年份:2014年
主要特点:
快速数字信号发生器;直接数字信号合成器;
电流测量下限低于10pA;
双通道高速数据采集系统,电位电流信号滤波器,多级信号增益,iR降补偿电路;
仪器可工作于二,三,或四电极的方式。
应用范围:
适用于电活性物质含量测定,无电活性物质可用衍生活化,分子印迹等方法测定;
适用于电极材料及溶液中电活性物质电化学行为测定;
适用于交流阻抗谱测定;
适用于超级电容器等电池性能测定;
可测偶联电极反应参数。
主要技术参数
1、CV和LSV扫描速度:0.000001V/s至10,000V/s;
2、扫描时的电位增量:0.1mV(当扫速为1,000V/s时);
3、SWV频率:1至100kHz;
4、DPV和NPV的脉冲宽度:0.001至10s;
5、交流阻抗:0.00001至1MHz;
6、CA和CC的脉冲宽度:0.0001至1000s;
7、CA和CC的最小采样间隔:1ms;CC模拟积分器;
8、i-t的最小采样间隔:1ms;
9、最大电位范围:±10V;最大电流:±250mA连续,±350mA峰值。
9778818威尼斯2024-2025学年第一学期实验教学课表 |
课程 |
实验项目 |
实验时数 |
指导教师 |
周次 |
节次 |
实验(分)室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
2 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
2 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
3 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
3 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
4 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
4 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
5 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
5 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
6 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
6 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
7 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
7 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
8 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
8 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
9 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
9 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
10 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
10 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
11 |
二[5-7节] |
C206电化学分析室 |
[31129001] 材料专业实验(二) |
半导体材料光电化学性能的测定 |
3.0 |
李艳岭 |
11 |
五[5-7节] |
C206电化学分析室 |